9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MUBW35-12E7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUBW35-12E7参考价格为122.447美元。IXYS MUBW35-12E7封装/规格：IGBT模块1200V 52A 225W E2。您可以下载MUBW35-12E7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUBW35-12A8是模块IGBT CBI E3，包括MUBW35系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于转换器/制动器/逆变器（CBI）IGBT模块，提供散装等封装功能，安装方式设计用于螺旋式，其工作温度范围为-40 C至+125 C，该设备也可以用作E3封装盒。此外，安装类型为底盘安装，该设备在E3供应商设备包中提供，该设备具有三相桥式整流器输入，配置为带制动器的三相逆变器，功率最大值为225W，电流收集器Ic最大值为50A，电压收集器发射器击穿最大值为1200V，电流收集器截止最大值为1.1mA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V，35A，输入电容Cies Vce为1.65nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Vf正向电压为1.2V，Vr反向电压为1.6kV。
MUBW35-12A7是模块IGBT CBI E2，包括1.6 kV Vr反向电压，它们设计用于1200V电压集电器-发射极击穿最大值，Vce on Max Vge Ic如数据表注释所示，用于3.1V@15V，35A，提供转换器/制动器/逆变器（CBI）IGBT模块等类型功能，供应商设备包设计用于E2，以及MUBW35系列，该器件也可以用作功率半导体模块产品。此外，最大功率为225W，该器件采用散装封装，该器件具有E2封装外壳，NTC热敏电阻为是，安装方式为螺钉式，安装类型为底盘式，输入电容Cies Vce为1.65nF@25V，输入为三相桥式整流器，IGBT类型为NPT，集流器Ic Max为50A，电流收集器截止最大值为1.1mA，配置为带制动器的三相逆变器。
MUBW35-06A6K是模块IGBT CBI E1，包括带制动器配置的三相逆变器，它们设计为在750μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于42A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计为在三相桥式整流器中工作，以及1.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，安装类型为螺旋式，该器件采用是NTC热敏电阻，该器件具有E1封装外壳，封装为散装，最大功率为130W，产品为功率半导体模块，系列为MUBW35，供应商器件封装为E1，类型为转换器/制动器/逆变器（CBI）IGBT模块，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，35A，电压集电极-发射极击穿最大值为600V，Vr反向电压为1.6kV。
