9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MUBW50-06A8，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUBW50-06A8价格参考125.182美元。IXYS MUBW50-06A8封装/规格：IGBT模块600V 75A 250W E3。您可以下载MUBW50-06A8英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUBW50-06A7是模块IGBT CBI E2，包括MUBW50系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于转换器/制动器/逆变器（CBI）IGBT模块，提供散装等封装功能，安装方式设计用于螺旋式，其工作温度范围为-40 C至+125 C，该装置也可以用作E2包装箱。此外，安装类型为底盘安装，该设备在E2供应商设备包中提供，该设备具有三相桥式整流器输入，配置为带制动器的三相逆变器，最大功率为250W，电流收集器Ic最大值为75A，电压收集器发射器击穿最大值为600V，电流收集器截止最大值为800μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，输入电容Cies Vce为2.8nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Vf正向电压为1.5V，Vr反向电压为1.6kV。
MUBW40-12T7是模块IGBT CBI E2，包括1.6 kV Vr反向电压，它们设计用于1200V集电极-发射极击穿最大值，Vce on Max Vge Ic如数据表注释所示，用于2.6V@15V，40A，提供转换器/制动器/逆变器（CBI）IGBT模块等类型功能，供应商设备包设计用于E2，以及MUBW40系列，该器件也可以用作功率半导体模块产品。此外，最大功率为220W，该器件采用散装封装，该器件具有E2封装外壳，NTC热敏电阻为是，安装类型为螺钉式，安装类型是底盘式，输入电容Cies Vce为2.5nF@25V，输入为三相桥式整流器，IGBT类型为沟槽式，集流器Ic Max为62A，集流器截止电流最大值为1.75mA，配置为带制动器的三相逆变器。
MUBW45-12T6K是模块IGBT CBI E1，包括带制动器配置的三相逆变器，它们设计为在1.25mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于43A，提供IGBT类型的功能，如沟槽，输入设计为在三相桥式整流器中工作，以及1.81nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用E1封装，该器件的最大功率为160W，供应商器件封装为E1，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V，45A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
