9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSM35GP120GBOSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSM35GP120GBOSA1价格参考166.86000美元。Infineon Technologies BSM35GP120GBOSA1封装/规格：IGBT MOD 1200V 45A 230W。您可以下载BSM35GP120GBOSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如BSM35GP120GBOSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BSM35GD120DN2E3224是IGBT模块N-CH 1.2KV 50A，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供六角等配置功能，包装箱设计用于EconoACK 2，以及280 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为1200 V，该器件具有2.7 V的集电极/发射极饱和电压，25 C时的连续集电极电流为50 a，栅极-发射极漏电流为150 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
BSM35GP120是IGBT模块1200V 35A PIM，其中包括IGBT硅模块产品，它们设计用于230 W Pd功耗，数据表说明中显示了用于EconoPIM2的封装盒，该EconoPIM提供安装类型功能，如螺钉，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+125 C，该器件也可用作+/-20V的最大栅极发射极电压。此外，栅极-发射极漏电流为300 nA，该器件在25℃时提供45 A连续集电极电流，该器件具有十六进制配置，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.4 V。
BSM35GD120DN2E，带有EUPEC制造的电路图。BSM35GD120DN2E在模块包中提供，是模块的一部分。
