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MIEB100W1200TEH是IGBT模块1200V 183A HEX，包括MIEB100W1 200TEH系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于E3，提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于E3，以及标准输入，该设备也可以用作三相逆变器配置。此外，功率最大值为630W，该设备提供183A电流收集器Ic Max，该设备具有1200V电压收集器发射器击穿最大值，电流收集器截止最大值为300μa，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，100A，输入电容Cies Vce为7.43nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
MIEB101H1200EH是IGBT模块1200V 183A QUAD，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.2V@15V、100A Vce运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于E3，提供MIEB101H1 200EH等系列功能，功率最大值设计为630W，以及散装包装，该设备也可以用作E3封装盒。此外，NTC热敏电阻为否，该设备为底盘安装型，该设备具有7.43nF@25V输入电容Cies Vce，输入为标准，集电器Ic最大值为183A，集电器截止值最大值为300μa，配置为全桥逆变器。
MIE-544M4H-48-T2，电路图由UNI制造。MIE-544M4H-48-T2采用DIP2封装，是IC芯片的一部分。
