9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MII200-12A4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MII200-12A4参考价格为164.00000美元。IXYS MII200-12A4封装/规格：IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB。您可以下载MII200-12A4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MII200-12A4价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MII150-12A4是MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB，包括MII150系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于IGBT模块，提供散装等封装功能，安装方式设计用于螺丝，其工作温度范围为-40 C至+150 C，该器件也可以用作Y3-DCB封装盒。此外，安装类型为底盘安装，该设备在Y3-DCB供应商设备包中提供，该设备具有输入标准，配置为半桥，功率最大值为760W，电流收集器Ic最大值为180A，电压收集器发射器击穿最大值为1200V，电流收集器截止最大值为7.5mA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.6nF@25V，NTC热敏电阻为No，Vf正向电压为2.3V。
MII145-12A3是MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、100A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于Y4-M5中，提供700W等功率最大特性，包壳设计为在Y4-M5以及无NTC热敏电阻中工作，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.5nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为160A，集电器截止最大值为6mA，配置为半桥。
MII100-12A3是IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA，包括半桥配置，它们设计为以5mA电流收集器截止最大值运行，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于135A，提供IGBT类型的功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及5.5nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用Y4-M5封装盒，该器件最大功率为560W，供应商器件封装为Y4-M5，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
