9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSM35GD120DLCE3224BOSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSM35GD120DLCE3224BOSA1参考价格为112.25000美元。Infineon Technologies BSM35GD120DLCE3224BOSA1封装/规格：IGBT MOD 1200V 70A 280W。您可以下载BSM35GD120DLCE3224BOSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSM35GB120DN2是IGBT模块1200V 35A DUAL，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表说明中显示了用于半桥1的封装盒，该半桥1提供半桥等配置功能，Pd功耗设计为工作在280 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃。此外，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，该器件提供3.2 V集电极-发射器饱和电压，该器件在25℃时具有50 a的连续集电极电流，栅极-发射极漏电流为150 nA，最大栅极-发射极电压为20 V。
BSM35GD120D2，带有西门子制造的用户指南。BSM35GD120D2在模块包中提供，是模块的一部分。
BSM35GD120DLC，带有EUPEC制造的电路图。BSM35GD120DLC在模块包中提供，是模块的一部分。
