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BSM75GAR120DN2HOSA1
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BSM75GAR120DN2HOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 235瓦 供应商设备包装: Module
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 5

  • 库存: 19
  • 单价: ¥515.83934
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,579.20
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • 参数配置 单个的
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大集电极电流 (Ic) 30 A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 1 nF@25 V
  • 集电极最大截止电流 400A.
  • 部件状态 上次购买
  • 最大功率 235瓦
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 15A

BSM75GAR120DN2HOSA1 产品详情

BSM75GAR120DN2HOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,BSM75GAR120DN2HOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSM75GAR120DN2HOSA1价格参考¥515.839338,你可以下载 BSM75GAR120DN2HOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSM75GAR120DN2HOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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