9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT100A20T3AG,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT100A10T3AG参考价格109.67875美元。Microchip Technology APTGT100A20T3AG封装/规格:IGBT模块1200V 140A 595W SP3。您可以下载APTGT100A20T3AG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT100A120T3AG,带有引脚细节,包括SP3封装外壳,设计用于通孔安装型,供应商设备封装如数据表注释所示,用于SP3,提供标准等输入功能,配置设计用于半桥,以及595W最大功率,该设备也可用作140A电流收集器Ic最大值。此外,电压收集器-发射极击穿最大值为1200V,该器件提供250μA电流收集器截止最大值,该器件具有IGBT型沟槽场阻,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,100A,输入电容Cies Vce为7.2nF@25V,NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100A102G带有用户指南,其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、100A Vce运行,数据表说明中显示了SP2中使用的供应商设备包,提供480W等最大功率功能,包壳设计用于SP2,以及无NTC热敏电阻,该装置也可以用作通孔安装型。此外,输入电容Cies Vce为7.2nF@25V,该器件采用标准输入,该器件具有IGBT型沟槽场阻,集电器Ic最大值为140A,集电器截止值最大值为50μa,配置为半桥。
APGT100A120D1G是IGBT模块沟槽相腿D1,包括半桥配置,它们设计为以3mA集流器最大截止电流运行,集流器Ic最大值如数据表注释所示,用于150A,提供IGBT类型的功能,如沟槽场停止,输入设计为标准工作,以及7nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为否,该器件采用D1封装,该器件最大功率为520W,供应商器件封装为D1,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,100A,集电极-发射极击穿最大值为1200V。