9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT200A170D3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT200A170D3G参考价格为303.43500美元。Microchip Technology APTGT200A170D3G封装/规格：IGBT模块1700V 400A 1250W D3。您可以下载APTGT200A170D3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APTGT200A170D3G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTGT200A120D3G是IGBT模块沟槽相腿D3，包括D-3模块封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于D3，提供标准输入功能，配置设计为半桥工作，以及1040W最大功率，该器件还可以用作300A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供6mA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，200A，输入电容Cies Vce为14nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGT200A120G是功率模块IGBT 1200V 200A SP6，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、200A Vce运行，数据表中显示了用于SP6的供应商设备包，提供功率最大值功能，如890W，包壳设计为在SP6中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为14nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为280A，集电器截止值最大值为350μa，配置为半桥。
APTGT150X120E3G，带有APT制造的电路图。APTGT1150X120E3g可在模块包中获得，是模块的一部分。
