9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT150A120G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT150A120G参考价格为183.60333美元。Microchip Technology APTGT150A120G封装/规格：IGBT模块1200V 220A 690W SP6。您可以下载APTGT150A120G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如APTGT150A120G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTGT100TL60T3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在三电平逆变器中工作，以及340W最大功率，该设备也可以用作150A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT150A1202G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、150A Vce on Max Vge Ic的情况下工作，数据表说明中显示了SP2中使用的供应商设备包，提供690W等最大功率功能，包壳设计为在SP2中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为10.7nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为220A，集电器截止值最大值为50μa，配置为半桥。
APTGT150A120D1G是IGBT模块沟槽相腿D1，包括半桥配置，它们设计为在4mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于220A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场停止，输入设计为标准工作，以及10.8nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为700W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
