9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT150DU120G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT150DU120G参考价格为183.60333美元。微芯片技术APTGT150DU120G封装/规格：IGBT模块1200V 220A 690W SP6。您可以下载APTGT150DU120G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT150DH170G，带引脚细节，包括SP6封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6，提供标准等输入功能，配置设计用于非对称桥，以及890W最大功率，该设备也可用作250A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为1700V，该器件提供350μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，150A，输入电容Cies Vce为13.5nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT150DU120G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了SP6中使用的供应商设备包，提供690W等最大功率功能，包壳设计为在SP6中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为10.7nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为220A，集电器截止值最大值为350μa，配置为双共源。
APTGT150DH60TG带有电路图，包括非对称桥配置，设计用于250μa集流器最大截止电流，数据表注释中显示了用于225A的集流器Ic最大值，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准，以及9.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件最大功率为480W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
