9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT225DU170G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT225DU170G参考价格为310.22000美元。Microchip Technology APTGT225DU170G封装/规格：IGBT模块1700V 340A 1250W SP6。您可以下载APTGT225DU170G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT150TDU60PG是IGBT模块TRPL DUAL SRCE SP6P，包括SP6封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6-P，提供标准等输入功能，配置设计为在三重、双公共电源以及480W最大功率下工作，该器件还可以用作225A集电器Ic最大值。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集电器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT150TL60G带用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于1.9V@15V，150A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了SP6中使用的供应商设备包，提供480W等功率最大功能，包壳设计用于SP6，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为200A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三电平逆变器。
APTGT150TA60PG是IGBT模块TRPL PHASE LEG SP6P，包括三相配置，它们设计用于250μa电流收集器最大截止电流，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于225A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及9.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP6封装外壳，该器件最大功率为480W，供应商器件封装为SP6-P，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGT150X120E3G，带有APTT制造的EDA/CAD模型。APTGT1150X120E3g可在模块包中获得，是模块的一部分。
