9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT150TL60G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT150TL60G参考价格为184.00667美元。Microchip Technology APTGT150TL60G封装/规格：IGBT模块600V 200A 480W SP6。您可以下载APTGT150TL60G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT150SK170G是IGBT 1700V 250A 890W SP6，包括SP6封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表中显示了SP6中使用的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为单台工作，以及890W最大功率，该设备也可以用作250A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为1700V，该器件提供350μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，150A，输入电容Cies Vce为13.5nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT150SK60T1G带有用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于1.9V@15V，150A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了用于SP1的供应商设备包，提供480W等功率最大值功能，包壳设计用于SP1，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为225A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APTGT150SK60TG带电路图，包括单组态，设计用于250μa集电器最大截止电流，数据表注释中显示了用于225A的集电器Ic最大值，其提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计用于标准，以及9.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件最大功率为480W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
