9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT100A20TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT100A20TG参考价格115.49875美元。Microchip Technology APTGT100A20TG封装/规格：IGBT模块1200V 140A 480W SP4。您可以下载APTGT100A20TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT100A120T3AG，带有引脚细节，包括SP3封装外壳，设计用于通孔安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准等输入功能，配置设计用于半桥，以及595W最大功率，该设备也可用作140A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100A102G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、100A Vce运行，数据表说明中显示了SP2中使用的供应商设备包，提供480W等最大功率功能，包壳设计用于SP2，以及无NTC热敏电阻，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为140A，集电器截止值最大值为50μa，配置为半桥。
APGT100A120D1G是IGBT模块沟槽相腿D1，包括半桥配置，它们设计为以3mA集流器最大截止电流运行，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于150A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场停止，输入设计为标准工作，以及7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件最大功率为520W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
