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FZ750R65KE3C1NOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 6500 V 最大集电极电流 (Ic): 750 A 最大功率: 3000000 W 供应商设备包装: A-IHV190-6
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 场终止沟道
  • 集电极最大截止电流 5 mA
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 参数配置 单个开关
  • 集电极击穿电压 6500 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 750 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 3.4V @ 15V, 750A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 205 nF @ 25 V
  • 工作温度 -50摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 最大功率 3000000 W
  • 供应商设备包装 A-IHV190-6
  • 样式 -

FZ750R65KE3C1NOSA1 产品详情

FZ750R65KE3C1NOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FZ750R65KE3C1NOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FZ750R65KE3C1NOSA1价格参考¥1738296.000000,你可以下载 FZ750R65KE3C1NOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FZ750R65KE3C1NOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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