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IPW90R1K2C3是MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW90R1 K2C3FKSA1 IPW90R2 K2C3XK SP000413754，提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.1A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为400ns，典型接通延迟时间为70ns，沟道模式为增强。
IPW90R1K0C3是MOSFET N-Ch 900V 5.7A TO247-3 CoolMOS C3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于900 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有典型的开启延迟时间功能，如70 ns，典型的关闭延迟时间设计为400 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为20ns，漏极源极电阻Rds为1欧姆，Pd功耗为89W，零件别名为IPW90R1K0C3FKSA1 IPW90R1 K0C3XK SP000413752，包装为管，包装箱为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5.7 A，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPW90R120C3FKSA1是MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，包装如数据表中所示，用于管中，提供部件别名功能，如IPW90R120C3 IPW90R220C3XK SP000413750，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPW90R1K0C3=9R1K0C，采用INF/EDA/CAD模型。IPW90R1 K0C3=9R1 K0C采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
