9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTV6414ANT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTV6414ANT4G参考价格为2.252美元。onsemi NTDV614ANT4G封装/规格：MOSFET N-CH 100V 32A DPAK。您可以下载NTV6414ANT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTV3055L104T4G是MOSFET NFET 60V 12A 0.104R，包括NTD3055L104系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有48W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为80 ns，上升时间为210 ns，Id连续漏电流为12 a，并且Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为104mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为20nC。
NTV5805NT4G是MOSFET NFET 40V 51A 9.5MOHM，包括40V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NTD5805N，以及9.5 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有51 a的Id连续漏电流。
NTV5804NT4G是MOSFET NFET 40V 69A 8.5MOHM，包括卷筒包装，设计用于NTD5804N系列，技术如数据表注释所示，用于Si。
NTDV2955PT4G是ON公司生产的MOSFET P-CH 60V 12A DPAK。NTDV2955PT4可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH60V 12A-DPAK。
