特色
- RDS（开启）=121 mΩ（典型值）@VGS=10 V，ID=2.8 A
- RDS（开启）=156 mΩ（典型值）@VGS=5 V，ID=1.8 A
- 快速切换速度
- 低栅极电荷（典型值2.9nC）
- 用于极低RDS的高性能沟槽技术（开启）
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS
应用
- LED电视
- 家用电器
- 同步整流
- 不间断电源
- 微型太阳能逆变器
FDT1600N10ALZ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 10.42W（Tc） 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥16.58624
-
数量:
- +
- 总计: ¥16.59
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.8V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.6A (Tc)
- 供应商设备包装 SOT-223-4
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 225 pF@50 V
- 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@2.8A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.77 nC @ 10 V
- 最大功耗 10.42W（Tc）
- 样式 -
FDT1600N10ALZ 产品详情
该N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产，该工艺经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，同时保持优异的开关性能。
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| FDT3612-SB82273 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥129.34371 |
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| FDT1615BR | 16" STANDARD DUCT, 15'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT0815CBB | 8" CONDUCTIVE DUCT 15'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT1625BR | 16" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT1215CBB | 12" CONDUCTIVE DUCT 15'L W/STRAP | ¥0.00 |
FDT1600N10ALZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDT1600N10ALZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDT1600N10ALZ价格参考￥16.586241，你可以下载 FDT1600N10ALZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDT1600N10ALZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
