9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD7N10TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD7N10TM价格参考2.99美元。onsemi FQD7N10TM封装/规格：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK。您可以下载FQD7N10TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD7N10LTM是MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK，包括QFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于FQD7N110LTM_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.009184盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252-3，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为290pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.8A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为350 mOhm@2.9A、10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@5V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为50纳秒，上升时间为100纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为350毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17纳秒，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导Min为4.6S，信道模式为增强。
FQD7N10L，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQD7N10L在DPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQD7N10TF，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD7N10TF采用SOT-252封装，是IC芯片的一部分。
