AON6452L

规格参数

• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
• 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
• 供应商设备包装 8-DFN (5x6)
• 包装/外壳 8-PowerSMD, Flat Leads
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 34 nC @ 10 V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 7V, 10V
• 部件状态 过时的
• 导通电阻 Rds(ON) 25欧姆@20A、10V
• 最大功耗 2W（Ta），35W（Tc）
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2200 pF@50 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 6.5A (Ta), 26A (Tc)
• 材质 -