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SCH1330-TL-W

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-563/SCH6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3206

  • 库存: 19373
  • 单价: ¥0.65186
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,089.87
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@1毫安
  • 供应商设备包装 SOT-563/SCH6
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 120 pF@10 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.7 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 241毫欧姆@750毫安,4.5V

SCH1330-TL-W 产品详情

ON Semiconductor SCH133x P沟道功率MOSFET采用ON Semiconiconductor的沟槽技术生产,该技术专门设计用于最小化栅极电荷和超低导通电阻。该器件适用于具有低栅极电荷驱动或超低导通电阻要求的应用。
SCH1330-TL-W所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SCH1330-TL-W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SCH1330-TL-W价格参考¥0.651861,你可以下载 SCH1330-TL-W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SCH1330-TL-W规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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