SCH1330-TL-W
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-563/SCH6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3206
- 库存: 19373
- 单价: ¥0.65186
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,089.87
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大功耗 1W(Ta)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
- 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A(Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@1毫安
- 供应商设备包装 SOT-563/SCH6
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 120 pF@10 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.7 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 241毫欧姆@750毫安,4.5V
SCH1330-TL-W 产品详情
ON Semiconductor SCH133x P沟道功率MOSFET采用ON Semiconiconductor的沟槽技术生产,该技术专门设计用于最小化栅极电荷和超低导通电阻。该器件适用于具有低栅极电荷驱动或超低导通电阻要求的应用。
SCH1330-TL-W所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SCH1330-TL-W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SCH1330-TL-W价格参考¥0.651861,你可以下载 SCH1330-TL-W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SCH1330-TL-W规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...