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FDJ1032C是MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于SC75-6 FLMP，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，该器件也可以用作N和P沟道FET型。此外，最大功率为900mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有200pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.2A、2.8A，Rds On Max Id Vgs为90mOhm@3.2A、4.5V，Vgs th Max Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为3nC@4.5V。
FDJ1028N是MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC75-6 FLMP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如90 mOhm@3.2A，4.5V，Power Max设计为1.5W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作SC75-6 FLMP封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有200pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为3nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为3.2A。
FDJ127P是FSC制造的MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6。FDJ127P在SC75-6 FLMP封装中提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6、P沟道20V 4.1A（Ta）1.6W（Ta）表面安装SC75-6 FLEMP、Trans MOSFET P-CH20V 4.1A 6引脚SC-75 T/R。
FDJ128N是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6。FDJ128N在SC75-6 FLMP封装中提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6，N沟道20V 5.5A（Ta）1.6W（Ta）表面安装SC75-6 FLEMP。
