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NTD110N02RST4G
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NTD110N02RST4G

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起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥12.21153
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.21
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 技术 -
  • 场效应管类型 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 供应商设备包装 DPAK-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Ta), 110A (Tc)

NTD110N02RST4G 产品详情

功率MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm单N沟道DPAK

特色

  • 快速切换性能的平面HD3e工艺
  • 低RDS(开启)以最小化传导损耗
  • 低Cis可最大限度地减少驾驶员损失
  • 针对高效DC-DC转换器的高侧开关要求进行了优化
  • 低栅极电荷
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用


(图片:引出线)

NTD110N02RST4G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTD110N02RST4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTD110N02RST4G价格参考¥12.211529,你可以下载 NTD110N02RST4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTD110N02RST4G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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