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ATP103-TL-H

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Ta) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥161.40078
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥161.40
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 50W (Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 47 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 ATPAK
  • 包装/外壳 ATPAK(2根导线+接线片)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 55A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2430 pF@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 13毫欧姆 @ 28A, 10V

ATP103-TL-H 产品详情

ATP103-TL-H是P沟道功率MOSFET,-30V,-55A,13mOhm,单ATPAK,适用于通用开关器件应用。

特色

  • 低导通电阻
  • 大电流
  • 超薄包装
  • 4.5V驱动
  • 保护二极管输入

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用
ATP103-TL-H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ATP103-TL-H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ATP103-TL-H价格参考¥161.400784,你可以下载 ATP103-TL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ATP103-TL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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