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AOD1N60是MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252，包括Digi-ReelR替代封装，设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-25 2（D-Pak）、，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作45W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为600V，该器件提供160pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C时的电流连续漏极Id为1.3A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为9 Ohm@650mA，10V，Vgs th最大Id为4.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为8nC@10V。
AOD1N60L，带有AOS制造的用户指南。AOD1N60L采用SOT-252封装，是IC芯片的一部分。
AOD200是AOS制造的MOSFET N-CH 30V 14A TO252。AOD200采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 30V 14A TO252、N沟道30V 14B（Ta）、36A（Tc）2.5W（Ta）和50W（Tc）表面安装TO-252（D-Pak）。
AOD206，带有AOS制造的EDA/CAD模型。AOD206采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
