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MUBW25-06A6K是模块IGBT CBI E1,包括MUBW25系列,它们设计用于功率半导体模块产品,类型如数据表注释所示,用于转换器/制动器/逆变器(CBI)IGBT模块,提供散装等封装功能,安装方式设计用于螺丝,其工作温度范围为-40 C至+125 C,该设备也可以用作E1封装盒。此外,安装类型为底盘安装,该设备在E1供应商设备包中提供,该设备具有三相桥式整流器输入,配置为带制动器的三相逆变器,最大功率为100W,电流收集器Ic最大值为31A,电压收集器发射器击穿最大值为600V,电流收集器截止最大值为600μa,IGBT类型为NPT,最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V,20A,输入电容Cies Vce为1.1nF@25V,NTC热敏电阻为Yes,Vf正向电压为1.6V,输出电流为65A,Vr反向电压为1600V,典型延迟时间为35ns。
MUBW25-06A6是模块IGBT CBI E1,包括600V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在2.5V@15V、20A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了用于E1的供应商设备包,提供了77W等最大功率功能,包壳设计用于E1,以及Yes NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为1.1nF@25V,该设备采用三相桥式整流器输入,该设备具有IGBT型NPT,集电器Ic最大值为27.5A,集电器截止最大值为1mA,配置为带制动器的三相逆变器。
带有电路图的MUBW25-12 MUBW25-12中有模块包,是模块的一部分。