9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGE200N60K，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGE200N60K参考价格为105.356942美元。STMicroelectronics STGE200N60K封装/规格：IGBT模块600V 150A ISOTOP。您可以下载STGE200N60K英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STGE200N60K价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STGDL6NC60DIT4是IGBT 600V 13A 50W DPAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及标准输入类型，该设备也可以用作表面安装安装类型。此外，供应商设备包为D-Pak，该设备为单配置，该设备最大功率为50W，反向恢复时间trr为23ns，集电器Ic最大值为13A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为18A，最大Vge Ic上的Vce为2.9V@15V，3A，开关能量为32μJ（开），24μJ（关），栅极电荷为12nC，25°C时的Td为6.7ns/46ns，测试条件为390V、3A、10 Ohm、15V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，最大栅极-发射极电流为+/-20 V，连续集电极电流Ic最大值为13 A。
STGDL6NC60DT4是IGBT 600V 13A 50W DPAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.9V@15V、3A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于390V、3A、10欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如6.7ns/46ns，开关能量设计为在46.5μJ（开）、23.5μJ（关）下工作，以及D-Pak供应商设备包，该设备也可以用作PowerMESH？系列此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备的最大功率为50W，该设备具有封装的磁带和卷轴（TR），封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，安装类型为表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为12nC，集电脉冲Icm为25A，集电器Ic最大值为13A。
STGDL6NC60DI，带有ST制造的电路图。STGDL6NC 60DI以TO-252封装形式提供，是IC芯片的一部分。
