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BSM100GB120DN2K是IGBT模块1200V 100A DUAL，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表说明中显示了用于半桥1的封装盒，该半桥1提供半桥等配置功能，Pd功耗设计为工作在700 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃。此外，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，该器件提供2.5 V集电极-发射器饱和电压，该器件在25℃时具有145 a的连续集电极电流，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为20 V。
BSM100GB120DN2E3256和EUPEC制造的用户指南。BSM100GB120DN2E3256在模块包中提供，是模块的一部分。
BSM100GB120DN2SCH150，电路图由EUPEC制造。BSM100GB120DN2SCH150在模块包中提供，是模块的一部分。
