STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了先进的IGBT系列PowerMESH?IGBTs,性能卓越。后缀“V”表示为非常高频应用而优化的系列。
特色
- 高电流能力
- 低C皇家经济学会/C类信息系统比率(无交叉传导敏感性)
- 高达50kHz的高频操作
- 极软超快恢复反并联二极管
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 53.13576 | 53.13576 |
200+ | 20.56699 | 4113.39800 |
600+ | 19.84183 | 11905.10280 |
1200+ | 19.48451 | 23381.41920 |
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STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了先进的IGBT系列PowerMESH?IGBTs,性能卓越。后缀“V”表示为非常高频应用而优化的系列。
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