9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGD3NB60SDT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGD3NB60SDT4参考价格为1.13000美元。STMicroelectronics STGD3NB60SDT4封装/规格：IGBT 600V 6A 48W DPAK。您可以下载STGD3NB60SDT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGD3NB60SD-1是IGBT 600V 6A 48W DPAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于管式包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，提供输入型功能，如标准，安装型设计用于表面安装，以及D-Pak供应商设备包，该设备也可用于48W最大功率。此外，反向恢复时间trr为1.7μs，该器件提供6A集电器Ic Max，该器件具有600V的集电器-发射极击穿最大值，集电器脉冲Icm为25A，最大Vge Ic上的Vce为1.5V@15V，3A，开关能量为1.1mJ（开），1.15mJ（关），栅极电荷为18nC，25°C下的Td为125μs/3.4μs，测试条件为480V，3A、1 kOhm，15V。
STGD3NB60HDT4是IGBT 600V 10A 50W DPAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.8V@15V、3A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于480V、3A、10欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如5ns/53ns，开关能量设计为在33μJ（关）下工作，以及D-Pak供应商设备包，该设备也可以用作PowerMESH？系列此外，反向恢复时间trr为95ns，该设备的最大功率为50W，该设备具有封装的磁带和卷轴（TR），封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，安装类型为表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为21nC，集电脉冲Icm为24A，集电器Ic最大值为10A。
STGD3NB60H是由ST制造的IGBT 600V 10A 50W DPAK。STGD3SB60H可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT 600V 10A 50H DPAK。
