9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGD3NB60FT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGD3NB60FT4参考价格为1.22000美元。STMicroelectronics STGD3NB60FT4封装/规格：IGBT 600V 6A 60W DPAK。您可以下载STGD3NB60FT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGD3HF60HDT4是IGBT 600V 7.5A 38W DPAK，包括STGD3HF6 0HD系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009185盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63以及标准输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D-Pak，该设备的最大功率为38W，该设备具有85ns的反向恢复时间trr，电流收集器Ic最大值为7.5A，电压收集器-发射器击穿最大值为600V，电流收集器脉冲Icm为18A，最大Vge Ic上的Vce为2.95V@15V，1.5A，开关能量为19μJ（开），12μJ（关），栅极电荷为12nC，25°C时的Td为11ns/60ns，测试条件为400V、1.5A、100 Ohm、15V，Pd功耗为38 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.95 V，25℃时的连续集电极电流为7.5A，栅极-发射极漏电流为100nA，最大栅极-发射极电压为20V。
STGD20N40LZ带有用户指南，其中包括390V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在1.6V@4V、6A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.012346盎司，提供300V、10A、1 kOhm、5V、Td on off 25°C等测试条件功能。设计为在700ns/4.3μs下工作，以及D-Pak供应商设备包，该设备也可以用作PowerMESH？系列此外，最大功率为125W，该设备提供125W Pd功耗，该设备具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极发射极电压为16V，输入类型为逻辑，栅极发射极漏电流为625uA，栅极电荷为24nC，集电极脉冲Icm为40A，集电极最大电流Ic为25A，连续集电极电流Ic最大值为25A，集电极-发射极饱和电压为1.5V。
STGD3NB60带有ST制造的电路图。STGD3B60采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
