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STGF6NC60HD

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 6 A 最大功率: 20瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.47560 18.47560
200+ 7.15693 1431.38680
500+ 6.90470 3452.35350
1000+ 6.77859 6778.59400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥18.47561
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.48
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 反向恢复时长 (trr) 21纳秒
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 最大集电极电流 (Ic) 6 A
  • 最大整流电流 (Icm) 21A
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 3A
  • 最大功率 20瓦
  • 开关能量 20J (on), 68J (off)
  • 门电荷 13.6 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 12ns/76ns
  • 试验条件 390V, 3A, 10欧姆, 15V

STGF6NC60HD 产品详情

STGF6NC60HD是一款非常快速的N信道PowerMESH™ IGBT用于硬开关和谐振拓扑中的SMPS和PFC。STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了先进的IGBT系列PowerMESH™ IGBT具有卓越的性能。后缀H表示为高频应用而优化的系列,以实现非常高的开关性能(减少tfall),保持低电压降。

特色

  • 低压降(Vcesat)
  • 低CRES/CIES比率(无交叉传导敏感性)
  • 极软超快恢复反并联二极管
  • 高频操作
STGF6NC60HD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGF6NC60HD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGF6NC60HD价格参考¥18.475609,你可以下载 STGF6NC60HD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGF6NC60HD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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