9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB19NC60KT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB19NC60KT4价格参考2.78000美元。STMicroelectronics STGB19NC60KT4封装/规格：IGBT 600V 35A 125W D2PAK。您可以下载STGB19NC60KT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STGB19NC60KT4价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STGB19NC60KDT4是IGBT 600V 35A 125W D2PAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入型，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备以单配置提供，该设备最大功率为125W，反向恢复时间trr为31ns，集电器Ic最大值为35A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为75A，最大Vge Ic上的Vce为2.75V@15V，12A，开关能量为165μJ（on），255μJ（关），栅极电荷为55nC，25°C时的Td为30ns/105ns，测试条件为480V、12A、10 Ohm、15V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，最大栅极-发射极电流为+/-20 V，连续集电极电流Ic最大值为35 A。
STGB19NC60HDT4是IGBT 600V 40A 130W D2PAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、12A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014 oz，提供390V、12A、10 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，189μJ（关断）开关能量，该装置也可用作D2PAK供应商装置包。此外，该系列是PowerMESH？，该设备以31ns反向恢复时间trr提供，该设备最大功率为130W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准，栅极电荷为53nC，集电极脉冲Icm为60A，集电极最大电流Ic为40A，连续集电极电流Ic最大值为40 A，配置为单一，集电极-发射极最大电压VCEO为600 V。
STGB19NC60HD，带有ST制造的电路图。STGB19NC 60HD采用TO-263封装，是IGBT的一部分-单个。
