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STGD7NB120ST4是IGBT 1200V 10A 55W DPAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63，提供标准等输入类型功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-Pak供应商设备包，该设备也可以用作55W最大功率。此外，集流器Ic最大值为10A，该器件提供1200V集流器-发射极击穿最大值，该器件具有20A集流器脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，7A，开关能量为3.2μJ（开），15mJ（关），栅极电荷为29nc，25°C时的Td为570ns/-，测试条件为960V，7A、1kOhm，15V。
STGD7NB120S-1是IGBT 1200V 10A 55W IPAK，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、7A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于960V、7A、1 kOhm、15V，提供Td开-关25°C功能，如570ns/-，开关能量设计为在15mJ（关）下工作，除了I-Pak供应商设备包，该设备还可以用作PowerMESH？系列此外，最大功率为55W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装盒，安装类型为通孔，输入类型为标准，栅极电荷为29nc，集电脉冲Icm为20A，集电器Ic最大值为10A。
STGD7NB60H，带有ST制造的电路图。STGD7NB 60H采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
