9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB6NC60HT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB6NC60HT4参考价格为1.8万美元。STMicroelectronics STGB6NC60HT4封装/规格：IGBT 600V 15A 56W D2PAK。您可以下载STGB6NC60HT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB6NC60HDT4是IGBT 600V 15A 56W D2PAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入型，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备为单配置，该设备的最大功率为56W，反向恢复时间trr为21ns，集电器Ic最大值为15A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为21A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，3A，开关能量为20μJ（开），68μJ（关），栅极电荷为13.6nC，25°C时的Td为12ns/76ns，测试条件为390V、3A、10 Ohm、15V，Pd功耗为80W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.7 V，且栅极-发射极漏电流为100nA，且最大栅极-发射极电压为+/-20V，且连续集电极电流Ic-Max为15A。
STGB5H60DF和用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.95V@15V、5A Vce（最大Vge Ic）下工作，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、5A、47欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如30ns/140ns，开关能量设计为在56μJ（开）、78.5μJ（关）下工作，该设备还可以用作134.5ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为88W，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为43nC，集流器脉冲Icm为20A，集流器Ic最大值为10A。
STGB6NC60HD-1是IGBT 600V 15A 56W I2PAK，包括15A集流器Ic Max，它们设计为与21A集流器脉冲Icm一起工作，栅极电荷如数据表注释所示，用于13.6nC，提供标准输入型功能，安装型设计用于通孔，以及to-262-3长引线、I2PAK、to-262AA封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为56W，设备提供21ns反向恢复时间trr，设备具有PowerMESH？系列，供应商设备包为I2PAK，开关能量为20μJ（开）、68μJ（关），25°C时的Td为12ns/76ns，测试条件为390V、3A、10欧姆、15V，最大Vge Ic为2.5V@15V、3A，电压收集器-发射极击穿最大值为600V。
