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AON7400AL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.27
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1380 pF@15 V
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Ta)、40A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.5毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 最大功耗 3.1W(Ta)、25W(Tc)
  • 供应商设备包装 8-DFN (3x3)

AON7400AL 产品详情

一般说明
AON7400AL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的RDS(ON)。该设备适合用作SMPS和通用应用中的高端开关。

产品概要
VDS 30伏
ID(VGS=10V时)40A
RDS(开启)(VGS=10V时)<7.5mΩ
RDS(开启)(VGS=4.5V时)<10.5mΩ
100%UIS测试
100%Rg测试

 

AON7400AL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AON7400AL 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AON7400AL价格参考¥6.272351,你可以下载 AON7400AL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AON7400AL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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