SQ7415AENW-T1_GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 单价: ¥139.52723
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数量:
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规格参数
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Tc)
- 场效应管类型 P-通道
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 供应商设备包装 PowerPAK1212-8
- 包装/外壳 PowerPAK1212-8
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 53W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 5.7A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1385 pF @ 25 V
SQ7415AENW-T1_GE3 产品详情
P沟道MOSFET,SQ加固系列,Vishay半导体
SQ7415AENW-T1_GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SQ7415AENW-T1_GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SQ7415AENW-T1_GE3价格参考¥139.527226,你可以下载 SQ7415AENW-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SQ7415AENW-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...