NVMFS5826NLT1G

Name: NVMFS5826NLT1G
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7170097-NVMFS5826NLT1G
Price: 3.404163 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
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起订量: 636

数量	单价	合计
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规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
场效应管特性 -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
部件状态上次购买
技术 -
场效应管类型 -
漏源电压标 (Vdss) -
导通电阻 Rds(ON) -
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
最大功耗 -
工作温度 -
安装类别 -
供应商设备包装 -
包装/外壳 -
漏源电流 (Id) @ 温度 -

NVMFS5826NLT1G 产品详情

采用5x6mm扁平引线封装的汽车功率MOSFET，设计紧凑高效，具有高热性能。可湿侧选项可用于增强光学检查。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。

特色

紧凑设计的小占地面积（5x6 mm）
实现了板和模块的尺寸和成本降低
低导通电阻
减少传导损耗
低QG和电容
减少开关损耗和驱动器损耗
AECQ101合格和PPAP能力
可用于汽车应用

应用

电机驱动、soldenoid驱动、通用负载开关
应用电机驱动、应用soldenoid驱动、应用通用负载开关

NVMFS5826NLT1G 相关器件

型号	制造商	描述	价格
NVME-31USBA	微连接公司 (Micro Connectors )	M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP	¥267.91487
NVMSTOR-ULTRA-1-1.5T	莫比维尔科技公司 (Mobiveil)	配套使用/相关货物: XCZU19EG, Zynq UltraScale+ 种类: 可编程门阵列涵盖内容: 董事会	¥78,462.3357
NVMFD5C466NLWFT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、52A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥11.29892
NVMFD5C672NLWFT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、49A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥9.92277
NVMFD5C478NLT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Ta）、29A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.31533
NVMFD5C462NLT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、84A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥11.29892
NVMFD5483NLWFT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.94014
NVMFS5834NLWFT3G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、75A（Tc）最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥9.11157
NVM100015	东电化 - Lambda (TDK)	种类: 开放式输出数量: one 电压输出1: 12伏功率（瓦特）: 180瓦效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额）	¥1,247.22738
NVM100026	东电化 - Lambda (TDK)	种类: 开放式输出数量: one 电压输出1: 24伏功率（瓦特）: 180瓦效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额）	¥1,247.22738

NVMFS5826NLT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVMFS5826NLT1G 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMFS5826NLT1G价格参考￥3.404163，你可以下载 NVMFS5826NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMFS5826NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！