9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6443DQ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6443DQ-T1-GE3参考价格3.542美元。Vishay Siliconix SI6443DQ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP。您可以下载SI6443DQ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI6441DQ-T1-E3是MOSFET 30V 8.0A 1.08W，包括SI6441DQ系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SI6441DQ-T1的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.005573盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TSSOP-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为1.08 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为13纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为6.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极电阻为15mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
SI6441DQ-T1-GE3是MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.005573盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作SI6441DQ系列。此外，Rds漏极-源极电阻为15 mOhm，该器件提供1.08 W Pd功耗，该器件具有SI6441DQ-GE3零件别名，包装为卷筒，包装箱为TSSOP-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为6.3 A，配置为单一。
SI6443DQ-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP。SI6443DQ-T1-E3采用8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP、P沟道30V 7.3B（Ta）1.05W（Ta）表面安装8-TSSOP。
