9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIB455EDK-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIB455EDK-T1-GE3参考价格$11.098。Vishay Siliconix SIB455EDK-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6。您可以下载SIB455EDK-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIB452DK-T1-GE3是MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIB552DK-GE3的零件别名，该SIB452DK GE3提供单位重量功能，如0.003386盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SC-75-6L封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-75-6L单通道，配置为单四漏双源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为13W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为190V，输入电容Cis-Vds为135pF@50V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为1.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.4 Ohm@500mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6.5nC@10V，Pd功耗为2.4W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为15 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为670 mA，Vds漏极-源极击穿电压为190 V，Rds漏极源极电阻为2.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为12ns，信道模式为增强。
SIB437EDKT-T1-GE3是MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6，包括-0.7 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在5 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-8 V，提供单位重量功能，如0.003386 oz，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为170 ns，器件提供34 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有10.5 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为2.4 W，部件别名为SIB437EDKT-GE3，封装为卷轴，封装盒为SC-75-6，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9 A，正向跨导最小值为14 S，下降时间为630 ns，配置为单一。
SiB433EDK-T1-GE3是MOSFET 20V 9A P-CH MOSFET，包括单一配置，它们设计为以12 S正向跨导最小值，Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了在-9A中使用的电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为SC-75-6，器件采用卷筒封装，器件具有部分别名的SIB433EDK-GE3，Pd功耗为13W，Qg栅极电荷为14nC，Rds漏极-源极电阻为47mOhm，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，单位重量为0.003386oz，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为+/-8V，Vgsth栅极-源极端电压为-0.4V至-1V。
