9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIB488DK-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIB488DK-T1-GE3价格参考2.99美元。Vishay Siliconix SIB488DK-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6。您可以下载SIB48DK-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIB456DK-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003386盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及PowerPAKR SC-75-6L包装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-75-6L单通道，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为13W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为130pF@50V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为6.3A（Tc），最大Id Vgs的Rds为185 mOhm@1.9A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为5nC@10V，Pd功耗为13W，Vgs栅极-源极电压为3V，Id连续漏极电流为6.3A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为3v，Rds漏极源极电阻为185mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为1.8nC。
SIB455EDK-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6。SIB455EDK-T1-GE3在PowerPAK®SC-75-6L封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6、P通道12V 9A（Tc）2.4W（Ta）、13W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-75-6L单跨接MOSFET P-CH 12V 7.8A 6引脚PowerPAK SC-75 T/R。
SIB45N03-13L，带有VISHAY制造的电路图。SIB45N03-13L采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
