9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSM100GB170DN2HOSA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BSM100GB170DN2HOSA1参考价格$696.6205。英飞凌科技BSM100GB170DN2HOSA1封装/规格:IGBT MOD 1700V 145A 1000W。您可以下载BSM100GB170DN2HOSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如BSM100GB170DN2HOSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
BSM100GB120DN2K是IGBT模块1200V 100A DUAL,包括IGBT硅模块产品,它们设计为采用螺钉安装方式运行,数据表说明中显示了用于半桥1的封装盒,该半桥1提供半桥等配置功能,Pd功耗设计为工作在700 W,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-40℃。此外,集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V,该器件提供2.5 V集电极-发射器饱和电压,该器件在25℃时具有145 a的连续集电极电流,栅极-发射极漏电流为400 nA,最大栅极-发射极电压为20 V。
BSM100GB170DLC是IGBT模块1700V 100A DUAL,包括IGBT硅模块产品,它们设计用于960 W Pd功率耗散,数据表注释中显示了用于62 mm的封装盒,提供安装类型功能,如螺钉,最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+125 C,该器件也可用作+/-20V的最大栅极发射极电压。此外,栅极-发射极漏电流为200 nA,该器件在25℃时提供200 A的连续集电极电流,该器件具有双重配置,集电极-发射极电压VCEO最大值为1700 V,集电极/发射极饱和电压为2.6 V。
BSM100GB120DN2SCH150,电路图由EUPEC制造。BSM100GB120DN2SCH150在模块包中提供,是模块的一部分。