STGE50NC60VD

Name: STGE50NC60VD
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7170505-STGE50NC60VD
Price: 2184.358630 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:参数配置: 单个的集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: ISOTOP
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

输入值标准
NTC热敏电阻 No
安装类别机箱安装
集电极击穿电压 600 V
参数配置单个的
IGBT型 -
包装/外壳 SOT-227-4，迷你超直瞄
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
部件状态过时的
最大集电极电流 (Ic) 90 A
输入电容 (Cies) @ Vce 4.55 nF @ 25 V
集电极最大截止电流 150A.
最大功率 260 W
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 40A
供应商设备包装 ISOTOP

STGE50NC60VD 产品详情

STGE50NC60VD是一种非常快速的IGBT，采用基于专利条带布局的最新高压技术。STMicroelectronics设计了先进的IGBT系列PowerMESH™ IGBT具有卓越的性能。后缀V表示为高频而优化的系列。它适用于硬开关和谐振拓扑中的高频逆变器、SMPS和PFC。

特色

高电流能力
高频操作
低CRES/CIES比率（无交叉传导敏感性）
极软超快恢复反并联二极管

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型号	制造商	描述	价格
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STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
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STGE50NC60VD所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，STGE50NC60VD 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGE50NC60VD价格参考￥2184.358630，你可以下载 STGE50NC60VD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGE50NC60VD规格参数、现货库存、封装信息等信息！