9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MWI80-12T6K，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MWI80-12T6K参考价格为84.11900美元。IXYS MWI80-12T6K封装/规格：IGBT模块1200V 80A 270W E1。您可以下载MWI80-12T6K英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MWI75-12T7T是IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3，包括MWI75系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于六组IGBT模块，提供散装等封装功能，安装方式设计用于螺钉，以及E2封装盒，该设备也可以用作机箱安装安装类型。此外，供应商设备包为E2，该设备以标准输入提供，该设备具有三相逆变器配置，功率最大值为355W，集电器Ic最大值为110A，集电器发射器击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为4mA，IGBT类型为沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.15V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.35nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
MWI75-12T8T是IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、75A Vce运行，类型如数据表注释所示，用于六组IGBT模块，提供供应商设备包功能，如E3，系列设计用于MWI75，以及功率半导体模块产品，该器件也可以用作360W最大功率。此外，该器件采用散装封装，采用E3封装盒，该器件有一个NTC热敏电阻，安装方式为螺钉，安装类型为底盘安装，输入电容Cies Vce为5.35nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽，集流器Ic Max为110A，电流收集器截止最大值为3mA，配置为三相逆变器。
带有电路图的MWI7512T7T是IC芯片的一部分。
