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STGE50NC60WD

  • 描述:参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: ISOTOP
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1,435.89768
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,435.90
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规格参数

  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 参数配置 单个的
  • IGBT型 -
  • 包装/外壳 SOT-227-4,迷你超直瞄
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大集电极电流 (Ic) 100 A
  • 集电极最大截止电流 500 µA
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 部件状态 过时的
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 4.7 nF @ 25 V
  • 最大功率 260 W
  • 供应商设备包装 ISOTOP
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.6V @ 15V, 40A

STGE50NC60WD 产品详情

STGE50NC60WD是一款N通道超快开关PowerMESH™ IGBT采用基于专利条带布局的最新高压技术。STMicroelectronics设计了先进的IGBT系列PowerMESH™ IGBT具有卓越的性能。后缀W表示为非常高频应用而优化的系列。它适用于硬开关和谐振拓扑中的高频逆变器、HF、SMPS和PFC。

特色

  • 高电流能力
  • 高频操作
  • 低CRES/CIES比率(无交叉传导敏感性)
  • 极软超快恢复反并联二极管
STGE50NC60WD所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,STGE50NC60WD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGE50NC60WD价格参考¥1435.897682,你可以下载 STGE50NC60WD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGE50NC60WD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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