9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSM100GB120DN2HOSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSM100GB120DN2HOSA1参考价格为133.41000美元。Infineon Technologies BSM100GB120DN2HOSA1包装/规格：中等功率62MM。您可以下载BSM100GB120DN2HOSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSM100GB120DLC是IGBT模块1200V 100A DUAL，其中包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表注释中显示了用于62 mm的封装盒，提供了双路等配置功能，Pd功耗设计为工作在780 W，其最大工作温度范围为+125 C，它的最低工作温度范围为-40℃。此外，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，该器件提供2.1 V集电极-发射器饱和电压，该器件在25℃时具有200 a的连续集电极电流，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
BSM100GB120DLCK是EUPEC制造的IGBT模块1200V 100A DUAL。BSM100GB120DLCK在模块包中提供，是模块的一部分，支持IGBT模块1200V 100A DUAL。
BSM100GB120DN11，电路图由西门子制造。BSM100GB120DN11在模块包中提供，是模块的一部分。
