9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MKI65-06A7T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MKI65-06A7T参考价格$840.1226。IXYS MKI65-06A7T封装/规格：IGBT模块600V E2。您可以下载MKI65-06A7T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MKI50-12F7是MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2，包括MKI50系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供封装外壳功能，如E2，安装类型设计用于底盘安装，以及E2供应商设备包，该设备也可以用作标准输入。此外，该配置为全桥逆变器，该设备的最大功率为350W，该设备具有65A的电流收集器Ic Max，电压收集器发射器击穿最大值为1200V，电流收集器截止最大值为700μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.8V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.3nF@25V，NTC热敏电阻为No。
MKI50-06A7T是IGBT H-BRIDGE 72A 600V E2PACK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于E2，提供MKI50等系列功能，功率最大值设计为225W，以及散装包装，该装置也可以用作E2包装箱。此外，NTC热敏电阻为否，该设备为底盘安装型，该设备具有2.8nF@25V输入电容Cies Vce，输入为标准，IGBT类型为NPT，集电器Ic最大值为72A，集电器截止值最大值为600μa，配置为全桥逆变器。
MKI50-12E7是MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2，包括全桥逆变器配置，它们设计为在800μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于90A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及3.8nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用E2封装，该器件的最大功率为350W，供应商器件封装为E2，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
