9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MKI75-06A7T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MKI75-06A7T参考价格为389.563184美元。IXYS MKI75-06A7T封装/规格：IGBT模块600V 90A 280W E2。您可以下载MKI75-06A7T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MKI75-06A7是MOD IGBT H-BRIDGE 600V 90A E2，包括MKI75系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供安装类型功能，如螺钉，包装箱设计用于E2，以及底盘安装型，该设备也可以用作E2供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备采用全桥逆变器配置，该设备最大功率为280W，集电器Ic最大值为90A，集电器-发射器击穿最大值为600V，集电器截止最大值为1.3mA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V，75A，输入电容Cies Vce为3.2nF@25V，NTC热敏电阻为“是”，Pd功耗为280 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为600 V；25 C时的连续集电极电流为90 A，栅极-发射极漏电流为200 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
MKI50-12F7是MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.8V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作。数据表中显示了用于E2的供应商设备包，提供MKI50等系列功能，产品设计用于IGBT硅模块，以及350W功率最大值，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为E2，该器件提供无NTC热敏电阻，该器件具有安装型底盘安装，输入电容Cies Vce为3.3nF@25V，输入为标准，IGBT类型为NPT，集电器Ic最大值为65A，集电器截止值最大值为700μa，配置为全桥逆变器。
MKI65-06A7T是IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK，包括全桥逆变器配置，设计用于底盘安装安装型，NTC热敏电阻如数据表注释所示，用于无封装，提供封装外壳功能，如E2，封装设计用于散装，以及MKI65系列，该设备也可以用作E2供应商设备包。此外，集电器发射极击穿最大值为600V。
