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STGW25M120DF3

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 54.03203 54.03203
10+ 48.78093 487.80932
100+ 40.38568 4038.56860
500+ 37.45738 18728.69100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥49.10686
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥54.03
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 最大整流电流 (Icm) 100 A
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大集电极电流 (Ic) 50 A
  • 门电荷 85 nC
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 开通/关断延时 (25°C) 28ns/150ns
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 25A
  • 最大功率 375瓦
  • 开关能量 850J (on), 1.3mJ (off)
  • 试验条件 600V, 25A, 15欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 265纳秒

STGW25M120DF3 产品详情

STGW25M120DF3所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGW25M120DF3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGW25M120DF3价格参考¥49.106862,你可以下载 STGW25M120DF3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGW25M120DF3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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