这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是V系列IGBT的一部分，这代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化极高频率转换器的效率。此外，正V行政长官（sat）温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。
特色
- 最高结温：TJ=175°C
- 无尾关闭
- 五、行政长官（sat）=1.85 V（典型值）@IC=60年
- 紧密参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 超快软恢复反并联二极管
STGW60V60DF
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 41.52282 | 41.52282 |
| 10+ | 37.28752 | 372.87521 |
| 30+ | 34.69168 | 1040.75064 |
| 100+ | 32.52674 | 3252.67410 |
- 库存: 0
- 单价: ¥41.52283
-
数量:
- +
- 总计: ¥41.52
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 集电极击穿电压 600 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 最大整流电流 (Icm) 240 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 60A
- 反向恢复时长 (trr) 74 ns
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 最大功率 375瓦
- 开关能量 750J (on), 550J (off)
- 门电荷 334 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 60ns/208ns
- 试验条件 400V, 60A, 4.7欧姆, 15V
STGW60V60DF 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | STG4158BJR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥42.39571 |
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| STGAP2SICSNCTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥36.39422 |
| STGIK10M120T | DISCRETE | ¥0.00 |
STGW60V60DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW60V60DF 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW60V60DF价格参考￥41.522829，你可以下载 STGW60V60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW60V60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
